长鑫科技冲刺科创板IPO

【导语】近日，存储芯片龙头长鑫科技正式递交招股书拟冲刺科创板，募资295亿元巩固行业地位。作为全球DRAM产能第四大厂商，其近三年营收复合增长率达72%，已实现全世代产品迭代，多项产品性能跻身国际前列，专利数量居全球前列，募资将用于技术升级与产能优化，推动中国半导体产业升级。

近日，中国存储芯片领军企业长鑫科技集团股份有限公司（以下简称：长鑫科技）正式向上海证券交易所递交招股书，拟登陆科创板，开启资本市场新征程。据了解，长鑫科技此次IPO募资295亿元，将进一步巩固其行业竞争力。

长鑫科技成立于2016年，采用IDM（垂直整合制造）业务模式，专注于动态随机存取存储器（DRAM）领域。根据Omdia数据，按产能和出货量统计，长鑫科技在DRAM厂商中(zhōng)位(wèi)居(jū)全球(qiú)第(dì)四(sì)。

财(cái)务(wu)数(shù)据(jù)方(fāng)面(miàn)，招(zhāo)股(gǔ)书(shū)披(pī)露(lù)，2025年(nián)1~9月(yuè)公(gōng)司(sī)营(yíng)收(shōu)达(dá)320.84亿(yì)元(yuán)，2022年(nián)至(zhì)2025年(nián)9月(yuè)累(lèi)计(jì)营(yíng)收(shōu)达(dá)736.36亿(yì)元(yuán)；2022年(nián)至(zhì)2024年(nián)主营(yíng)业(yè)务(wu)收(shōu)入(rù)复(fù)合(hé)增(zēng)长(zhǎng)率(lǜ)达(dá)到(dào)72.04%，展(zhǎn)现(xiàn)出(chū)强(qiáng)劲(jìn)的(de)增(zēng)长(zhǎng)势(shì)头(tóu)。

产(chǎn)品(pǐn)布局上，长鑫科技构建了覆盖DDR、LPDDR两大主流系列的多元化产品矩阵，已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全世代产品迭代，广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等核心市场。其中，2019年推出的8Gb DDR4产品实现中国DRAM产业"从零到一"的突破；LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps，较上一代提升66%；首款国产DDR5产品速率达8000Mbps、单颗最大容量24Gb，同步布局全场景七大模组，性能跻身国际领先水平。

研发投入上，2022年至2025年上半年，公司累计研发投入达188.67亿元，占累计营业收入的33.11%。截至2025年6月30日，公司累计拥有5589项专利，其中境内专利3116项、境外专利2473项，2023年国际专利申请公开数量全球排名第22位，2024年美国专利授权排名全球第42位（中国企业中第四）。

此次募资将重点用于DRAM业务的技术升级与产能优化，助力公司在全球DRAM市场竞争中进一步扩大优势，推动中国半导体产业高质量发展。