台积电“退场”，氮化镓市场影响几何？

【导语】近日，氮化镓（GaN）半导体领域迎来重大变动，知名厂商纳微半导体宣布其650V元件产品将逐步转由力积电代工，而原代工厂台积电则决定在未来两年内退出氮化镓业务。这一决策引发了业界广泛关注，并对氮化镓市场前景产生了诸多猜想。然而，尽管面临调整，氮化镓技术凭借其广阔的应用前景和不断提升的性能，依旧被众多厂商看好，并积极寻求新的合作与发展路径。

近日，氮化镓厂商纳微半导体宣布，旗下650V元件产品在未来1到2年内将从现有供应商台积电逐步转由力积电代工。对此，台积电表示，经过完整评估后，考量市场与长期业务策略，决定在未来2年内逐步退出氮化镓业务。

台积电刚公布的2025年第二季度财报中虽未提及氮化镓的内容，但提出公司将更关注AI和人型机器人等高增长的新兴领域。此前，台积电曾高调宣称非常看好氮化镓的发展前景，关注程度甚至高于碳化硅，如今却突然宣布退出，让人始料未及，也让市场产生了氮化镓发展前景不佳的疑虑。

纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片（图片来源：纳微半导体）

台积电为何“移情别恋”？

氮化镓作为宽禁带半导体的“门面”之一。随着技术的不断升级，其性能被进一步开发，已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向新能源汽车、AI数据中心、可再生能源等热门领域扩展。广阔的市场前景成为台积电此前非常看好氮化镓的关键因素。

台积电研发资深处长段孝勤曾表示，台积电在化合物半导体领域专注氮化镓相关开发，历经长期的发展氮化镓已逐渐开始被市场接受，预计未来十年将有更多应用场景。台积电在氮化镓的五个主要应用场景包含数据中心、快充、太阳能电力转换器、48V DC/DC以及电动车OBC/转换器。

早在2020年，台积(jī)电(diàn)就(jiù)宣(xuān)布(bù)，要(yào)与(yǔ)意法半导体合作加速氮化镓制程的开发，并将分离式与整合式氮(dàn)化(huà)镓(jiā)元(yuán)件(jiàn)导(dǎo)入(rù)市(shì)场(chǎng)。通过此合作，意法半导体将采用台积电公司的氮化镓制程来生产其氮化镓产品；台积电还与纳微半导体合作，纳微半导体专有的氮化镓工艺设计套件（PDK）就是基于台积电的硅基氮化镓平台开发的；罗姆也将其650V耐压产品全面委托台积电代工生产。

纳微半导体与台积电的合作（图片来源：纳微半导体官网）

氮化镓产能方面， 2023年，台积电已占据全球氮化镓晶圆代工40%的市场份额，与德国X-Fab、中国台湾汉磊形成“一超两强”的格局，成为硅基氮化镓技术路线产业化的关键推动者。

在市场广阔、订单丰富、产能充足的情况下，很难想象台积电会做出取消氮化镓生产线的决策。台积电作为半导体行业的风向标之一，每做一个重大决定必然都是深思熟虑的，这次也给业界很多猜想。

从业务优先级和利润角度来看，台积电的氮化镓代工业务投片量相对较小，其当前6英寸晶圆月产能仅3000~4000片，且头部客户如纳微半导体占据了大部分产能，对整体营收的贡献有限，难以达到台积电的利润预期，因此被(bèi)逐渐边缘化并最终退出。相较之下，AI芯片领域的先进制程与封装业务展现出了强大的利润吸引力。在AI技术爆发的时代背景下，对高性能计算芯片的需求呈井喷式增长，英伟达等公司对先进制程芯片的大量订单，使得台积电在AI芯片制造和先进封装业务上的营收占比不断提升。

台积电在刚刚召开的季度法说会上表示，该季度其净利润同比大幅增长61%，营收环比增长17.8%，这一增长主要得益于N3、N5等先进制程技术的强劲拉动，预计2025年，公司以美元计算的销售额将增长30%左右，如此乐观的预期主要源于3纳米和5纳米技术需求的持续强劲，以及不断扩张的高性能计算（HPC）平台。特别是在AI领域，token数量的爆炸式增长意味着AI模型的使用和采纳不断增加，进而催生对更多计算能力的需求。

市场对AI芯片的强烈需求，也使得CoWoS封装需求同样呈现出强劲态势，台积电正积极扩建后端产能以提升CoWoS封装的产量。摩根士丹利的数据显示，台积电CoWoS先进封装产能将从2025年底的70k大幅提升至2026年的90~95k，增幅高达33%。

受益于AI需求的爆发式增长，台积电先进封装营收占比预计将从2024年的8%一路飙升至2025年的10%以上。在如此诱人的利润前景面前，台积电将战略重心向AI芯片等高回报领域倾斜，剥离相对低利润的氮化镓代工业务，成为一种符合商业逻辑的必然战略选择。

从市场竞争角度来看，氮化镓市场虽然前景广阔，但竞争异常激烈。近年来，以中国IDM厂商英诺赛科为代表的新势力崛起，凭借自有8英寸晶圆制造能力，在成本上占据优势，在全球消费电子市场发起了激烈的价格竞争。随着越来越多企业的加入，市场利润空间被不断压缩。

英诺赛科董事长骆薇薇认为，氮化镓晶圆并不适合代工模式，传统的半导体功率器件结构相对简单，并没有太多代工需求，这种模式无法提供足够的投资回报率（ROI），并且与客户之间缺乏足够的共享和合作。氮化镓器件需要与设计、应用深度协同，通过IDM模式（垂直整合制造）直接对接市场，能够更好地满足市场需求，实现技术与市场的紧密结合。而台积电作为专业的晶圆代工厂商，其代工模式在氮化镓产业中面临着诸多挑战，难以充分发挥其优势。

在激烈的价格竞争环境下，整个氮化镓代工行业逐渐陷入了 “增收不增利”的尴尬境地。台积电虽然在技术上依然保持着领先地位，但高昂的生产成本使其在价格战中处于劣势，利润空间被不断压缩。面对这种局面，台积电若继续在氮化镓代工业务上坚守，可能会陷入利润微薄、发展受限的困境。

氮化镓厂商“大迁徙”

台积电的“退场”，让众多依赖其代工的氮化镓厂商陷入了窘境，但后者并没有放慢继续研发的脚步，并迅速寻找新代工厂。

纳微半导体与力积电达成战略合作协议（图片来源：纳微半导体官网）

纳微半导体作为氮化镓功率芯片领域的重要企业，首当其冲受到影响。为了确保自身业务的连续性和稳定性，纳微半导体迅速宣布与力积电达(dá)成(chéng)了(le)战(zhàn)略(è)合(hé)作(zuò)协(xié)议。力积电在半导体制造领域拥有一定的技术实力和(hé)生(shēng)产(chǎn)能(néng)力(lì)，其(qí)先(xiān)进的180nm CMOS工艺能力，运用更小、更先进的工艺节点，从而在性能、能效、集成度以及成本方面实现全面优化。根据协议，力积电将为纳微半导体生产100V至650V的氮化镓产品组合，以满足48V基础设施（包括超大型AI数据中心和电动汽车）对氮化镓日益增长的需求。首批器件预计于2025年第四季度完成认证。其中，100V系列计划于2026年上半年在力积电率先投产，而650V器件将在未来12~24个月内从台积电逐步转由力积电代工。这一合作对于纳微半导体来说至关重要，不仅为其提供了新的产能支持，也为其未来的业务发展奠定了基础。

意法半导体则是本身具备一定的IDM能力，拥有自己的芯片制造工厂。面对此次变局，意法半导体一方面可能会加大自身工厂在氮化镓生产方面的投入，提升内部产能；另一方面，也不排除与其他外部代工合作伙伴建立新的合作关系，以确保产品供应的稳定性。有消息称，意法半导体正在与亚洲地区新兴的氮化镓代工企业进行接触和洽谈，试图开拓新的代工渠道。

罗姆半导体同样在台积电的氮化镓代工客户之列，面对台积电的停产决定，罗姆半导体迅速组建了专项应对小组，评估多种解决方案。其中一个重要方向是加强与现有合作伙伴的深度协作，共同优化现有代工流程，提升产能效率。同时，罗姆半导体也在积极探索(suǒ)新(xīn)的(de)代工资源，在全球范围内寻找技术成熟、产能稳定的氮化镓代工厂商。

罗姆的650V耐压氮化镓产品

瑞萨等其他氮化镓产品厂商纷纷与潜在的代工企业展开洽谈，评估合作的可能性。在这个过程中，一些原本在氮化镓代工领域的企业，因为台积电的退出而获得了更多的关注和机会。这些企业开始加大在氮化镓代工业务上的投入，提升自身的技术水平和生产能力(lì)，以(yǐ)满(mǎn)足(zú)市(shì)场(chǎng)的(de)需(xū)求(qiú)。

与(yǔ)此(cǐ)同(tóng)时(shí)，各(gè)大(dà)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)企(qǐ)业(yè)依(yī)旧(jiù)看(kàn)好(hǎo)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)的(de)市(shì)场(chǎng)潜(qián)力(lì)，并(bìng)未(wèi)因(yīn)为(wèi)台(tái)积(jī)电(diàn)的(de)退(tuì)场(chǎng)，而(ér)减(jiǎn)速(sù)技(jì)术(shù)创新和减少产能。

纳微近期在AI数据中心、电动车与太阳能市场接连取得多项进展，包括旗下氮化镓与碳化硅技术投入研发，支撑NVIDIA 800V HVDC架构，应用于1兆瓦以上IT机柜。太阳能能源解决方案提供商Enphase也已宣布，其下一代IQ9产品将采用纳微650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。与此同时，纳微的大功率GaNSafe技术也正逐步导入商用车车载充电器（OBC）应用领域。

瑞萨则发布了了四代加强版（Gen IV Plus）的氮化镓新品——基于SuperGaN平台的三款全新高压650V GaN FET TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。和其第四代产品相比，该系列产品不但提高了开关性能，还实现了30 mΩ的导通电阻(RDS(on))，同比降低14%。该器件的导通电阻输出电容乘积品质因数(FOM)提升了20%。更小的芯片尺寸降低了系统成本并降低了输出电容，从而提高了效率和功率密度。瑞萨希望这三款器件能为全新800V高压直(zhí)流(HVDC)架构、电动汽车充电、UPS电池备用设备、电池储能和太阳能逆变器等应用提供支持。

英诺赛科作为氮化镓领域的佼佼者，近日推出了4款基于700V SolidGaN平台新品，采用TOLL，TOLT主流大功率器件封装，兼容传统控制器和驱动器应用生态，实现简单易用。英诺赛科表示，ISG612x系列SolidGaN具备高开关频率、高功率密度及高散热能力，可实现氮化镓在更高功率电源应用中的高效与稳定。

英飞凌科技股份公司也宣布推出新(xīn)型(xíng)高(gāo)压(yā)分(fēn)立(lì)器(qì)件(jiàn)系(xì)列(liè)CoolGaN650 V G5晶(jīng)体(tǐ)管(guǎn) ，该(gāi)系(xì)列(liè)进(jìn)一(yī)步(bù)丰(fēng)富(fù)了(le)英(yīng)飞(fēi)凌(líng)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)产(chǎn)品(pǐn)组(zǔ)合(hé)。新(xīn)产(chǎn)品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。

未来前景依然看好

从市场数据来看，氮化镓市场规模依旧呈现出快速增长的趋势。市调组织Yole表示，2028年，氮化镓功率器件在新能源汽车中的市场规模将超过5.04亿美元，年复合增长率将达到110%。其他包括信息通信、消费电子、能源、工业、航天等领域的年复合增长率将超过25%。英飞凌也特别看好氮化镓，并预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。

氮化镓的应用场景

在应用领域方面，氮化镓的应用范围也在不断扩大。在消费电子领域，氮化镓快充技术已经得到了广泛应用。氮化镓充电器凭借其高频高效、低导通电阻等优势，实现了体积的大幅缩减，相比传统充电器，体积可缩小约40%~60%，重量也更轻，方便携带，为用户带来更流畅的使用体验。越来越多的手机、笔记本电脑等设备开始采用氮化镓充电器。Strategy Analytics的数据显示，2023年全球氮化镓充电器市场规模约为12.5亿美元，预计到2029年将飙升至45亿美元，年复合增长率达到24.5%。以小米、OPPO、三星等为代表的众多品牌纷纷入局。

在新能源汽车领域，车载充电器、电机控制器等部件都有望采用氮化镓技术，以提高能源转换效率和系统性能。专家表示，未来，氮化镓还有望在车载信息娱乐系统DC/DC转换器、无刷直流汽车电机、自主导航光检测和测距（激光雷达）以及48V轻混动力汽车等方面大显身手，提升汽车的整体性能与智能化水平。

数据来源：yole

在数据中心领域，氮化镓成为提升能源转换效率、降低能耗的关键力量。氮化镓开关损耗和导通损耗较低，主要应用在服务器电源的PFC和高压DC/DC部分。英飞凌关注可再生能源领域和AI数据中心等电气化应用需求，公布了新的AI数据中心电源路线图；罗姆确立了150伏耐压氮化镓产品的量产体系，适用于基站、数据中心等工业设(shè)备(bèi)和(hé)各(gè)种(zhǒng)物(wù)联(lián)网(wǎng)通(tōng)信(xìn)设(shè)备(bèi)的(de)电(diàn)源(yuán)电(diàn)路；纳(nà)微(wēi)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)宣(xuān)布(bù)与(yǔ)英(yīng)伟(wěi)达(dá)合(hé)作(zuò)开(kāi)发(fā)下(xià)一(yī)代(dài)800V高(gāo)压(yā)直(zhí)流(liú)(HVDC)架(jià)构(gòu)，为(wèi)包(bāo)括(kuò)Rubin Ultra在(zài)内(nèi)的(de)GPU提(tí)供(gōng)支(zhī)持(chí)的(de)"Kyber"机(jī)架(jià)级(jí)系(xì)统(tǒng)供(gōng)电(diàn)，纳(nà)微(wēi)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)的(de)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)和(hé)碳(tàn)化(huà)硅(guī)技(jì)术(shù)将(jiāng)在(zài)这(zhè)一(yī)合(hé)作(zuò)中(zhōng)发(fā)挥(huī)关键作(zuò)用(yòng)。

尽(jǐn)管(guǎn)台(tái)积(jī)电(diàn)的(de)退(tuì)出(chū)给(gěi)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)产(chǎn)业(yè)带(dài)来(lái)了(le)一(yī)定(dìng)的(de)冲(chōng)击(jī)，但(dàn)众(zhòng)多(duō)氮(dàn)化(huà)镓(jiā)产(chǎn)品(pǐn)厂(chǎng)商(shāng)的(de)积(jī)极(jí)行(xíng)动(dòng)以(yǐ)及(jí)市(shì)场(chǎng)的(de)发(fā)展(zhǎn)趋(qū)势(shì)都(dōu)表(biǎo)明(míng)，氮(dàn)化(huà)镓(jiā)的(de)未(wèi)来(lái)依(yī)然(rán)充(chōng)满(mǎn)希(xī)望(wàng)。在(zài)技(jì)术(shù)不(bù)断(duàn)进(jìn)步(bù)、市(shì)场(chǎng)需(xū)求(qiú)持(chí)续(xù)增(zēng)长(zhǎng)的(de)背(bèi)景(jǐng)下(xià)，氮(dàn)化(huà)镓(jiā)有(yǒu)望(wàng)在(zài)更(gèng)多(duō)领(lǐng)域实(shí)现(xiàn)突(tū)破(pò)，成(chéng)为(wèi)推(tuī)动(dòng)各(gè)行(xíng)业(yè)发(fā)展(zhǎn)的(de)重(zhòng)要(yào)力(lì)量(liàng)。