自研芯片破壁垒 光子产业启新程
本文转自：阳光报
自研芯片破壁垒 光子产业启新程
国产高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片研制成功
▲陕投新兴立芯光电洁净间黄光区域，操作人员身着无尘服开展晶圆光刻涂胶作业。
■记者 李梦君 文/图
2026年上半年，陕投集团累计研发投入2.04亿元，研发投入强度1.15%，新增培育重点科技型企业5户。旗下西安立芯光电科技有限公司（简称“立芯光电”）成功研制高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片，改变国内同类产品长期依赖进口的现状。
蓄积多年技术储备 夯实高端芯片攻关根基
该芯片由陕西投资新兴产业发展有限公司（以下简称“陕投新兴”）下属西安立芯光电科技有限公司主导研发。
2017年，陕投新兴完成对立芯光电的并购。彼时，这家深耕高功率半导体激光器芯片研发生产的初创企业，还面临产品结构单一、市场占比偏低的发展困境。国有资本注入为企业带来发展转机。
陕投新兴引入市场化运营机制，充分释放企业活力，提升经营运转效率。围绕创新链、产业链、资金链、人才链、政策链深度融合，推动立芯光电在发展模式、治理架构、经营机制、产业链布局上全面革新。各类优质资源加速向企业集聚，企业经营规模持续扩张，产业集聚效应不断增强。企业利润水平稳步提升，又反哺研发工作，加快创新技术落地转化，为高端芯片项目攻关打下基础。
攻克多项工艺难题 芯片性能对标国际水平
高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片属于高端半导体芯片，长期受国外技术垄断。立足企业前期技术积累，叠加国内市场迫切需求，立芯光电于2024年下半年正式启动该芯片研发工作。
历经多轮技术攻关，至2026年上半年，项目取得成功。研发团队先后攻克外延材料生长、波导弯曲角度优化、腔面镀膜等多项关键工艺难题，完成高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片制备。
“经测试，该芯片在抑制光纤激光系统受激布里渊散射（SBS）效应方面具有显著优势，部分关键性能指标优于国际同类产品。高功率1060纳米超辐射发光二极管芯片是光纤激光器的理想种子源。其宽谱超辐射发光二极管（SLD）工作模式使其在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射效应，突破系统峰值功率上限，适用于高端精密制造、科学研究及工业检测等应用场景。该芯片技术长期被国外垄断，国内相关产业链存在‘卡脖子’风险，制约了我国高端激光装备的自主发展。”立芯光电工程技术中心经理任占强介绍道。
任占强表示：“本次芯片研制成功，打破进口依赖，可为国内脉冲光纤激光器企业提供稳定可靠的国产核心器件，保障国内高端激光产业链安全可控。国产芯片不仅性能对标甚至超越海外产品，同时具备成本优势。”
聚力人才建设 助力企业技术升级
科技创新，人才为本。依托体制机制改革与多维度资源导入，立芯光电不断拓宽引才渠道，搭建起一支覆盖半导体物理、光电子器件、材料学、封装测试等多学科的高水平研发队伍，具备从芯片设计到量产全流程核心技术实力。
企业完善内部人才培养体系，鼓励技术人员深造进修、考取专业技术资质；全面盘点核心岗位与核心人才，灵活调配内部资源，推行轮岗交流，强化员工综合技能，培养一岗多能复合型人才，搭建完备人才梯队。
在陕投新兴推动下，立芯光电持续深化产学研合作，加强与高校、科研院所联动。联合陕西科技大学组建芋-V族化合物半导体激光芯片“科学家+工程师”专项队伍，联合攻关外延材料、高光束质量芯片核心技术。双方共建西安市化合物半导体材料与器件重点实验室，共同打造的光量子材料及器件陕西省高校工程研究中心成功入选省级科研平台。同时，联合西安交通大学搭建博士后创新基地，定向培养高端技术人才，持续为技术创新输送人才力量。
近几年，立芯光电先后获得国家级专精特新企业、国家级知识产权优势企业、国务院国资委“科改行动”标杆企业、陕西省专精特新企业、西安高新区雏鹰企业等荣誉；获批陕西省博士后创新基地，以及与陕西科技大学校企合作共建的西安市化合物半导体材料与器件重点实验室、光量子材料及器件陕西省高校工程研究中心获批；研发成果先后获得陕西省科技进步二等奖、中央企业熠星大赛一等奖等多项荣誉。公司现有有效专利40项，其中29项发明专利涉及高功率半导体芯片核心技术。
前瞻布局 助力新质生产力发展
在持续巩固现有技术优势的同时，立芯光电还面向未来产业提前布局。企业积极布局光通信和AI数算领域核心光芯片，已启动SOA、RSOA、拉曼光纤放大器等关键芯片研发，重点突破高速光通信网络、数据中心和AI算力中心所需核心器件技术，为国产高速光模块和AI算力基础设施提供核心支撑。
下一步，该公司将围绕国家重大战略需求和陕西省光子产业发展规划，持续加大研发投入，强化关键核心技术攻关，加快高端激光芯片、光通信芯片和AI数算芯片产业化，着力突破关键核心技术，打造国内一流的光电子核心器件创新平台，为陕西建设千亿级光子产业集群、培育新质生产力贡献更大力量。
